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서피스는 135A p 채널 MOSFET IC, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13을 탑재합니다

분류:
전자적 IC 칩
입하됩니다:
재고 중
가격:
Negotiable
사양
타입:
MOSFET
패키지 형태:
표면 부착
애플리케이션:
범용
작동 온도:
-55' C 150' C (TJ)
패키지 / 건:
8-PowerTDFN
FET은 타이핑합니다:
P-채널
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
30V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id):
135A (Tc)
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
20A, 10V에 있는 3.8mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
250uA에 있는 2.6V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10V에 있는 127nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
15V에 있는 3775pF
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
5V, 10V
브그스 (맥스):
±25V
강조하다:

표면 부착 p 채널 MOSFET IC

,

135A p 채널 MOSFET IC

,

DMP34M4SPS-13

도입

DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFET P-채널 30V 34A 8SOP으로 당신의 장치의 성과를 올리세요

최고의 품질 DMP34M4SPS-13으로 전환하여 당신의 노트북 배터리 전원과 부하를 최적화하세요

 

만약 당신이 노트북의 공연을 향상시키고 그것의 배터리 수명을 향상시키는 것을 기대하고 있다면, 당신이 DMP34M4SPS MOSFET을 필요로 합니다. 고품질 재료로 설계되어 30V, 21A 능력과 이 P-채널 MOSFET은 당신의 장치를 위한 궁극적 해결책입니다. 예외적 접속품질과 최소화된 RDS(ON)로, 당신이 그것을 사용할 때마다 최대 효율을 전달하기 위한 이 DMP34M4SPS MOSFET 개런티. 당신이 당신의 노트북 배터리 전력 또는 스위치 로드를 관리할 필요가 있는지, 이 최고위층 장치는 수월하게 그 일을 끝낼 것입니다. DMP34M4SPS-13을 선택하고, 열심히 당신의 노트북 작업 스마터를 만드세요.

 

 

상품 카테고리

MOSFET

기술

Si

증가하는 방식

SMD / SMT

패키지 / 건

PowerDI5060-8

트랜지스터 극성

P-채널

채널 수

1개 채널

Vds - 드레인-소스 항복 전압

30 V

Id - 연속배수 경향

135 A

Rds에 - 드레인-소스 저항

2.9 모엠에스

브그스 - 게이트-소스 전압

25 V

브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압

2.6 V

큐그 - 게이트전하

127 nC

최소 동작 온도

- 55 C

최대 작업 온도

+ 150 C

Pd - 전력 소모

3 W

채널 모드

향상

구성

단일

트랜지스터형

1 P-채널

강하 시간

160 나노 초

상품 종류

MOSFET

상승 시간

4 나노 초

전형적 정지 지연 시간

372 나노 초

전형적 턴 온 지연 시간

6.9 나노 초

 

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주식:
In Stock
MOQ:
1